规格书 |
|
文档 |
Mold Compound 08/April/2008 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 400mV @ 20mA, 200mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 50nA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 100 @ 150mA, 5V |
功率 - 最大 | 700mW |
频率转换 | 300MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | 6-SSOT |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 6SuperSOT |
类型 | NPN |
引脚数 | 6 |
最大集电极发射极电压 | 45 V |
集电极最大直流电流 | 0.5 A |
最小直流电流增益 | 80@100uA@1V|100@10mA@1V|100@100mA@1V|100@150mA@5V |
最大工作频率 | 300(Typ) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.2@1mA@10mA|0.4@20mA@200mA V |
最大集电极基极电压 | 75 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 700 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
集电极最大直流电流 | 0.5 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 700 |
最大基地发射极电压 | 6 |
Maximum Transition Frequency | 300(Typ) |
封装 | Tape and Reel |
每个芯片的元件数 | 2 |
最大集电极基极电压 | 75 |
供应商封装形式 | SuperSOT |
最大集电极发射极电压 | 45 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 500mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 300MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 400mV @ 20mA, 200mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 50nA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
供应商设备封装 | 6-SSOT |
功率 - 最大 | 700mW |
封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 100 @ 150mA, 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | FMB100CT |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
直流电流增益hFE最大值 | 450 |
单位重量 | 0.001270 oz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 45 V |
配置 | Dual |
最高工作温度 | + 150 C |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 0.5 A |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
系列 | FMB100 |
集电极 - 基极电压VCBO | 75 V |
最低工作温度 | - 55 C |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
长度 | 3 mm |
身高 | 1 mm |
Pd - Power Dissipation | 0.7 W |
FMB100也可以通过以下分类找到
咨询QQ
热线电话